精品黄色片视频国产亚洲精品资源|专干老熟女视频久久窝窝手机视频|亚洲热午夜电影91福利影片实拍|情五月丁香综合日韩一区二区不卡|激情综合网俺也去成人在线免费AV|激情网五月天欧美视频123|亚洲专区免费亚洲视频九九热|亚洲国产毛片99久久强奸

歡迎來(lái)到成都千潤(rùn)科技有限公司官方網(wǎng)站
成都千潤(rùn)科技有限公司

集生產(chǎn)、銷售、安裝及售后為一體的LED顯示屏工程商!

Contact Us

聯(lián)系我們

當(dāng)前位置:成都千潤(rùn)LED顯示屏 > 業(yè)界資訊 > 如何提高LED顯示屏的發(fā)光效率-

如何提高LED顯示屏的發(fā)光效率-

一、表面微結(jié)構(gòu)技術(shù)

表面微觀結(jié)構(gòu)過(guò)程是提高器件光效率的另一種有效技術(shù)。室內(nèi)led顯示屏由于LED工作電壓低(僅 1.2~4.0V),能主動(dòng)發(fā)光且有一定亮度 ,亮度又能用電壓(或電流)調(diào)節(jié),本身又耐沖擊、抗振動(dòng)、壽命長(zhǎng)(10 萬(wàn)小時(shí)),所以在大型的顯示設(shè)備中,尚無(wú)其他的顯示方式與LED顯示方式匹敵。戶外led顯示屏無(wú)論用LED制作單色、雙色或三色屏,欲顯示圖象需要構(gòu)成像素的每個(gè)LED的發(fā)光亮度都必須能調(diào)節(jié),其調(diào)節(jié)的精細(xì)程度就是顯示屏的灰度等級(jí)?;叶鹊燃?jí)越高,顯示的圖像就越細(xì)膩,色彩也越豐富,相應(yīng)的顯示控制系統(tǒng)也越復(fù)雜。該技術(shù)的要點(diǎn)是刻蝕芯片表面光波長(zhǎng)度大小的大量小結(jié)構(gòu),每個(gè)結(jié)構(gòu)呈十字形四面體的形狀,不僅擴(kuò)大了光面積,而且改變了光在芯片表面的折射方向,明顯提高了透射效率。測(cè)量結(jié)果表明,對(duì)于具有20μm的窗口層厚度的器件,輸出效率可以提高30%,當(dāng)窗口層的厚度減小到10μm時(shí),發(fā)光效率將提高60%。對(duì)于具有585625nm波長(zhǎng)的LED器件,當(dāng)制造紋理結(jié)構(gòu)時(shí),發(fā)光效率可以達(dá)到30lm,其值接近透明襯底器件的水平。

二、倒裝芯片技術(shù)

生長(zhǎng)由GaN基LED MOCVD層結(jié)構(gòu)技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上,光通過(guò)由P / N結(jié)的發(fā)光區(qū)域發(fā)射的上部P型區(qū)域發(fā)射。由于P型導(dǎo)電性的GaN性能差,為了獲得必要的良好的電流擴(kuò)散層,以形成通過(guò)氣相沉積技術(shù)在P區(qū)的NiAu表面構(gòu)成的金屬電極層。通過(guò)金屬薄膜層引出的引線的P區(qū)。為了獲得良好的電流擴(kuò)散,的NiAu金屬電極層不能太薄。出于這個(gè)原因,該裝置的發(fā)光效率會(huì)受到很大影響,典型地考慮到兩個(gè)因素的電流擴(kuò)散和光提取效率。但是,不管這種情況下,金屬薄膜的存在,從而使光透射性能總是劣化。此外,還存在的器件的光效率的鍵合焊盤被影響。使用氮化鎵LED倒裝芯片配置可從根本上消除了上述問(wèn)題。

三、透明襯底技術(shù)

InGaAlP LED通常是在GaAs襯底上外延生長(zhǎng)InGaAlP發(fā)光區(qū)GaP窗口區(qū)制備而成。與InGaAlP相比,GaAs材料具有小得多的禁帶寬度,因此,當(dāng)短波長(zhǎng)的光從發(fā)光區(qū)與窗口表面射入GaAs襯底時(shí),將被悉數(shù)吸收,成為器件出光效率不高的主要原因。在襯底與限制層之間生長(zhǎng)一個(gè)布喇格反射區(qū),能將垂直射向襯底的光反射回發(fā)光區(qū)或窗口,部分改善了器件的出光特性。一個(gè)更為有效的方法是先去除GaAs襯底,代之于全透明的GaP晶體。由于芯片內(nèi)除去了襯底吸收區(qū),使量子效率從4%提升到了2530%。為進(jìn)一步減小電極區(qū)的吸收,有人將這種透明襯底型的InGaAlP器件制作成截角倒錐體的外形,使量子效率有了更大的提高。

四、芯片鍵合技術(shù)

光電器件對(duì)所需材料的性能具有一定的要求,通常具有大的帶寬差和材料的折射率的大變化。不幸的是,通常沒(méi)有這種天然物質(zhì)。所要求的帶寬差和折射率差不能由均勻的外延生長(zhǎng)技術(shù)形成,而通常的異質(zhì)外延技術(shù),例如在硅芯片上的外延GaAs和InP,不僅昂貴,而且具有與界面結(jié)合的非常高的位錯(cuò)密度,因此難以形成高質(zhì)量的光電子集成器件。由于低溫結(jié)合技術(shù)可大大降低不同材料之間的熱失配,降低應(yīng)力和位錯(cuò),從而形成高質(zhì)量器件。

標(biāo)簽:
上一篇:如何提高LED全彩顯示屏在使用中的穩(wěn)定性- 下一篇:如何提高LED租賃屏的使用壽命

相關(guān)文章

资兴市| 陵川县| 府谷县| 凤凰县| 廉江市| 淳安县| 东光县| 方山县| 祁东县| 深水埗区| 忻州市| 锡林浩特市| 桂东县| 信阳市| 江源县| 乡宁县| 滦平县| 天柱县| 思茅市| 天峨县| 隆德县| 富平县| 白山市| 栾川县| 林州市| 平阴县| 偏关县| 安丘市| 澄江县| 子长县| 隆子县| 亳州市| 贵阳市| 西华县| 出国| 新龙县| 兴业县| 盖州市| 沙田区| 遂宁市| 喜德县|